증착 조건 변화에 따른 SnO2 박막의 구조와 전기적 특성에 관한 연구 = A Study of the Structural and the Electrical Properties of SnO2 Thin Films According to Changes in the Deposition Conditions

국문 초록 (Abstract)

SnO$_2$박막을 RF 스퍼터를 이용하여 실리콘 기판 위에 증착 하였다. X-선 회절 분석에서는 공급된 파워 증가에 따라 산소분위기에 소결된 박막의 결정성은 증가 되었다. 전자 현미경 사진에서는 산소 분위기에서 형성된 박막의 평균 입자 사이즈 간격이 순수한 SnO$_2$ 박막의 평균 사이즈 간격보다 작았다. 홀효과 측정에서 순수한 SnO$_2$ 박막에서는 파워증가에 따라서 수송 전하 밀도는 감소하였지만 산소분위기에서 소결된 SnO$_2$ 박막에서는 파워증가에 따라서 수송 전하 밀도는 증가하였다. 수송전하밀도가 산소공공형성이나 Si기판과 박막 사이에 있는 SiO$_2$층과 상관 관계가 있음을 보였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

SnO$_2$ thin films were grown on Si substrates by using the radio-frequency magnetron sputtering method. X-ray diffraction showed that the crystallinity of of the SnO$_2$ thin films pre-annealed by exposure to oxygen increased as the power was increased. The images obtained using scanning electron microscopy indicated that the average grain size of the thin films formed in the oxygen atmosphere was smaller than that of the pure SnO$_2$ thin films. Hall measurements on the pure SnO$_2$ thin films showed that the carrier density increased as the power was increased. However, for the pre-annealed SnO$_2$ thin films, the carrier density decreased with increasing power. The carrier density of thin films can depend on whether or not they are formed in an oxygen due to the formation of oxygen vacancies or a SiO$_2$ layer between the Si substrates and the SnO$_2$ thin films.

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