저잡음 HEMT 소자 제작을 위한 에피택셜 기판을 MBE 방법을 이용하여 In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As / InP 물질계로 성장하였다. 기판 온도의 변화, 채널층과 격리층 사이의 성장 일시 멈춤 등...
http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
https://www.riss.kr/link?id=A106428907
1995
Korean
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
학술저널
177-182(6쪽)
0
상세조회0
다운로드국문 초록 (Abstract)
저잡음 HEMT 소자 제작을 위한 에피택셜 기판을 MBE 방법을 이용하여 In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As / InP 물질계로 성장하였다. 기판 온도의 변화, 채널층과 격리층 사이의 성장 일시 멈춤 등...
저잡음 HEMT 소자 제작을 위한 에피택셜 기판을 MBE 방법을 이용하여 In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As / InP 물질계로 성장하였다. 기판 온도의 변화, 채널층과 격리층 사이의 성장 일시 멈춤 등의 성장 조건 변화에 따른 Hall 이동도의 변화를 연구하였다. 전자 공급층을 Si으로 델타도핑한 결과 같은 조건에서 성장기판의 온도를 520℃에서 540℃로 증가시키면 실온의 전자이동도는 7,850 ㎠/Vsec에서 9,600 ㎠/Vsec으로 증가하였으며, 격리층과 채널층 사이에서 약 50초간 성장을 일시 중단하면 이동도는 상온 측정 결과 30%, 77 K 측정 결과 100% 향상됨을 알 수 있었다. 이는 성장중 채널층의 표면 adatom의 surfaca migration 시간을 충분히 제공하여 결정결함의 감소로 계면의 급격성이 향상된 결과로 사료된다. 본 실험을 통하여 얻은 최고 이동도 값은 격리층의 두께가 100Å인 경우에 상온 측정결과 11,400 ㎠/Vsec 및 77 K 측정 결과 50,300 ㎠/Vsec이었다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
The In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMT structures for low noise application were grown by MBE onto InP substrates. The influence of growth temperature profile, growth interruption between spacer and channel, and structural parameters on th...
The In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMT structures for low noise application were grown by MBE onto InP substrates. The influence of growth temperature profile, growth interruption between spacer and channel, and structural parameters on the electrical characteristics has been systematically studied based on Hall measurements. The growth of Si δ-doped structure at increased temperature gives improved mobility from 7850 ㎠/Vsec to 9600 ㎠/Vsec at 300 K. And growth of the whole layer with interruption results in increase of mobility due to a improvement of interface abruptness. Maximum mobilities with values amounting to as high as 11,400 ㎠/Vsec (300 K), 50,300 ㎠/Vsec (77 K) were obtained near d_(spacer)=100Å.
목차 (Table of Contents)
InSe 단결정에서 Co²+ 이온의 ⁴A₂(⁴F)→⁴T₁(⁴F) 전이특성
Development of S - band Waveguide Valve for PLS 2 - GeV Linac
한국 KRISS와 이태리 IMGC간의 고진공 국가표준의 국제비교
Stepped 텅스텐 결정면의 수소 흡착에 관한 연구 : I. (210)면