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2011년
eng
1286-0042
1286-0050
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
EPJ APPLIED PHYSICS
30103 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Energy relaxations of hot electrons in AlGaN/AlN
The transport mechanism of gate leakage current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors