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      흑린 소자의 Weak Localization 영역에서 양자 수송

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      https://www.riss.kr/link?id=T14570924

      • 저자
      • 발행사항

        청주 : 충북대학교, 2017

      • 학위논문사항
      • 발행연도

        2017

      • 작성언어

        한국어

      • KDC

        420.4 판사항(5)

      • 발행국(도시)

        충청북도

      • 형태사항

        ⅵ, 66 p. : 삽화 ; 26 cm.

      • 일반주기명

        충북대학교 논문은 저작권에 의해 보호됩니다
        Quantum Transport of Black Phosphorus Devices in Weak Localization Regime
        지도교수: 최중범
        참고문헌: 54-56 p.

      • 소장기관
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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      We study the magneto-conductance and dephasing in a strongly localized regime in black phosphorus (BP) devices. The phase coherence length, l_φ obtained from the magneto-conductance follows a temperature dependence of T^(-1⁄3) in the strongly localized regime with k_F l_e<1 (〖ξ< l〗_φ) based on the Ioffe–Regel criterion. Here k_F, l_e and ξ are the Fermi wave vector, mean free path and localization length, respectively. The conductance behavior as a function of temperature confirms that the transport regime of our BP is in a variable range hopping regime, which results in the strongly localized regime.
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      We study the magneto-conductance and dephasing in a strongly localized regime in black phosphorus (BP) devices. The phase coherence length, l_φ obtained from the magneto-conductance follows a temperature dependence of T^(-1⁄3) in the strongly ...

      We study the magneto-conductance and dephasing in a strongly localized regime in black phosphorus (BP) devices. The phase coherence length, l_φ obtained from the magneto-conductance follows a temperature dependence of T^(-1⁄3) in the strongly localized regime with k_F l_e<1 (〖ξ< l〗_φ) based on the Ioffe–Regel criterion. Here k_F, l_e and ξ are the Fermi wave vector, mean free path and localization length, respectively. The conductance behavior as a function of temperature confirms that the transport regime of our BP is in a variable range hopping regime, which results in the strongly localized regime.

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      목차 (Table of Contents)

      • 1. 서 론 1
      • 2. 이 론 6
      • 2.1 Metal Insulator Transition (MIT) and Intermediate Regime 6
      • 2.2 Mean Free Path (l_e) 12
      • 2.3 Localization Length (ξ) and Phase Coherence Length (l_φ) 14
      • 1. 서 론 1
      • 2. 이 론 6
      • 2.1 Metal Insulator Transition (MIT) and Intermediate Regime 6
      • 2.2 Mean Free Path (l_e) 12
      • 2.3 Localization Length (ξ) and Phase Coherence Length (l_φ) 14
      • 2.4 Comparisons between l_φ and ξ 16
      • 3. 실 험 18
      • 3.1 Device Structure 19
      • 3.2 Fabrication Process 20
      • 3.2.1 Process Flow 20
      • 3.2.2 Coordinate Mark Process 24
      • 3.2.3 Exfoliation Process 26
      • 3.2.4 Electron-Beam Lithography Process 29
      • 3.2.5 E-Beam Metallization Process 32
      • 3.2.6 Lift-off Process 33
      • 3.3 Measurement System 34
      • 4. 결과 및 토의 37
      • 4.1 Physical Properties 38
      • 4.2 Mean Free Path (l_e) 40
      • 4.3 Magnet-Conductance (σ) and Phase Coherence Length (l_φ) 40
      • 4.4 Variable Range Hopping (VRH) Regime 45
      • 4.5 Quantum Confinement Effect (QCE) at Interface between BP and SiO2 51
      • 5. 결 론 53
      • Reference 54
      • Acknowledgement
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      참고문헌 (Reference) 논문관계도

      1 김근수, "“2차원 반도체와 흑린의 연구 동향”", DOI: 10.3938/PhiT.25.039 ,“물리학과 첨단기술” JULY/AUGUST (2016), 2016

      1 김근수, "“2차원 반도체와 흑린의 연구 동향”", DOI: 10.3938/PhiT.25.039 ,“물리학과 첨단기술” JULY/AUGUST (2016), 2016

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