http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
https://www.riss.kr/link?id=O111286060
1989년
eng
0741-3106
1558-0563
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
IEEE Electron Device Letters
150-152 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
0
상세조회0
다운로드
Hot-electron hardened Si-gate MOSFET utilizing F implantation
Interface characterization of silicon epitaxial lateral growth over existing SiO/sub 2
Boron channel-stop design for poly-buffered LOCOS using selective boron segregation
High-performance vertical-power DMOSFETs with selectively silicided gate and source regions