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Van Elshocht, S. ; Adelmann, C. ; Popovici, M. ; Swerts, J. ; Delabie, A. ; Nyns, L. ; Shi, X. ; Tielens, H. ; Pourtois, G. ; Menou, N.
2010년
eng
1938-5862
1938-6737
학술저널
ECS TRANSACTIONS
693-698 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
9781607682639 (pbk.)
China semiconductor technology
International conference
Shanghai, China
2010; Mar
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Process Simulation and Experimental Study of Stress Memorization in Strained Silicon nMOSFETs
Investigation of Different Strain Configurations in Gate-All-Around Silicon Nanowire Transistor
Review on Methods for Trench MOSFET Gate Oxide Reliability and Switching Speed Improvement