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      KCI등재 SCI SCIE SCOPUS

      Inkjet-printed Zinc-tin-oxide TFTs with a Solution-processed Hybrid Dielectric Layer

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      https://www.riss.kr/link?id=A104320988

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Sol-gel TiO2 was synthesized and used as a gate dielectric for oxide thin-film transistors (TFTs). A hybrid gate insulator composed of sol-gel TiO2/thermally-grown SiO2 was applied to the inkjetprintedzinc-tin oxide (ZTO) TFTs for the first time. The...

      Sol-gel TiO2 was synthesized and used as a gate dielectric for oxide thin-film transistors (TFTs).
      A hybrid gate insulator composed of sol-gel TiO2/thermally-grown SiO2 was applied to the inkjetprintedzinc-tin oxide (ZTO) TFTs for the first time. The electrical properties of an inkjet-printedZTO TFT with a hybrid gate insulator show a mobility of 0.17 cm2/Vs, an on-to-off current ratio of 5× 104, a subthreshold slope of 0.8 V/dec, and a threshold voltage of 0.6 V. The hybrid gate insulatorfor the inkjet-printed ZTO TFT shows a much improved operating voltage and subthreshold slopeand a lower mobility compared to the SiO2 gate insulator.

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      참고문헌 (Reference)

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      21 K. Jiang, 23 : 945-, 2011

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      23 S. -J. An, 74 : 209-, 2002

      24 S. Jeong, 112 : 11082-, 2008

      25 Y. -H. Kim, 300 : 1009-, 2010

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