CNTFET은 기존 반도체 소자의 성능을 약 13배 향상시킬 수 있어 큰 관심을 받아 왔지만, CNT를 일정하게 배치시키는 공정의 미성숙으로 인해 상용화에 어려움을 겪어 왔다. 이러한 어려움을 극...
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2021
Korean
SRAM ; CNTFET ; CNT ; CNT Density ; Digital Circuit
KCI등재후보
학술저널
473-478(6쪽)
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다운로드국문 초록 (Abstract)
CNTFET은 기존 반도체 소자의 성능을 약 13배 향상시킬 수 있어 큰 관심을 받아 왔지만, CNT를 일정하게 배치시키는 공정의 미성숙으로 인해 상용화에 어려움을 겪어 왔다. 이러한 어려움을 극...
CNTFET은 기존 반도체 소자의 성능을 약 13배 향상시킬 수 있어 큰 관심을 받아 왔지만, CNT를 일정하게 배치시키는 공정의 미성숙으로 인해 상용화에 어려움을 겪어 왔다. 이러한 어려움을 극복하기 위해, 그동안 알려진 CNTFET 공정상 한계를 고려한 회로 디자인 방법이 점점 높은 관심을 받고 있다. SRAM은 마이크로프로세서를 구성하는 주요 요소로서 캐시메모리 안에 규칙적으로 그리고 반복적으로 배치되어 있어, SRAM 안의 CNT는 다른 회로 블록에 비해 보다 쉽게 그리고 고밀도로 배치될 수 있는 장점이 있다. 이러한 장점을 활용하기 위해, 본 논문에서는 CNT 밀도를 고려한 SRAM 셀의 회로디자인 방법을 소개하고 그 성능 향상 정도를 HSPICE 시뮬레이션으로 검토하고자 한다. 시뮬레이션 결과, SRAM에 CNTFET을 적용할 경우, gate width를 약 1.7배 줄일 수 있음을 발견하였으며, 동일한 gate width에서 CNT 밀도를 높였을 경우, 읽기 속도 또한 약 2배 정도 향상될 수 있음을 알 수 있었다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
Although CNTFETs have attracted great attention due to their ability to increase semiconductor device performance by about 13 times, the commercialization of CNTFETs has been challenging because of the immature deposition process of CNTs. To overcome ...
Although CNTFETs have attracted great attention due to their ability to increase semiconductor device performance by about 13 times, the commercialization of CNTFETs has been challenging because of the immature deposition process of CNTs. To overcome these difficulties, circuit design method considering the known limitations of the CNTFET manufacturing process is receiving increasing attention. SRAM is a major element constituting microprocessor and is regularly and repeatedly positioned in the cache memory; so, it has the advantage that CNTs can be more easily and densely deposited in SRAM than other circuit blocks. In order to take these advantages, this paper presents a circuit design method for SRAM cells considering CNT density and then evaluates its performance improvement using HSPICE simulation. As a result of simulation, it is found that when CNTFET is applied to SRAM, the gate width can be reduced by about 1.7 times and the read speed also can be improved by about 2 times when the CNT density was increased in the same gate width.
참고문헌 (Reference)
1 "http://nantero.com/technology/"
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3 G. Hills, "Modern microprocessor built from complementary carbon nanotube transistors" 572 (572): 595-602, 2019
4 Hitoshi. Saito, "Development of 16 Mb NRAM Aiming for High Reliability, Small Cell Area, and High Switching Speed" 2021
5 S. Lin, "Design of a CNTFET-based SRAM Cell by Dual-Chirality Selection" 9 : 30-37, 2009
6 Anantha Chandrakasan, "Design of HighPerformance Microprocessor Circuits" WileyIEEE Press 2000
7 G. Cho, "Design and process variation analysis of CNTFET-based ternary memory cells" 54 : 97-108, 2016
8 Nishant Patil, "Design Methods for Misaligned and Mispositioned Carbon-Nanotube Immune Circuits" 27 (27): 1725-1736, 2008
9 "CNFET Models"
10 L. Liu, "Aligned, high-density semiconducting carbon nanotube arrays for high-performance electronics" 368 (368): 850-856, 2020
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11 J. Deng, "A Compact SPICE Model for Carbon-Nanotube Field-Effect Transistors Including Nonidealities and Its Application—Part II: Full Device Model and Circuit Performance Benchmarking" 54 (54): 3195-3205, 2007
12 J. Deng, "A Compact SPICE Model for Carbon-Nanotube Field-Effect Transistor Including Nonidealities and Its Application—Part I: Model of the Intrinsic Channel Region" 54 (54): 3186-3194, 2007
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학술지 이력
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2024 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2021-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | |
2020-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (재인증) | |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | |
2016-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (계속평가) | |
2015-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (기타) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | |
2005-10-17 | 학술지명변경 | 외국어명 : 미등록 -> Journal of IKEEE | |
2005-05-30 | 학술지등록 | 한글명 : 전기전자학회논문지외국어명 : 미등록 | |
2005-03-25 | 학회명변경 | 한글명 : (사) 한국전기전자학회 -> 한국전기전자학회영문명 : 미등록 -> Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers | |
2005-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | |
2004-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 FAIL (등재후보1차) | |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) |
학술지 인용정보
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.3 | 0.3 | 0.29 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.24 | 0.22 | 0.262 | 0.17 |