UV노광 공정 도입이 Sol-gel 법으로 제조된 Sr_0.9Bi_2.1Ta₂O₉박막의 결정화에 미치는 영향 = Effect of the Introduction of UV Irradiation on Crystallization of Sr_0.9Bi_2.1Ta₂O₉ Thin Films by Sol-gel Method

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

$Sr_{0.9}Bi_{2.1}Ta_2O_9$thin films were deposited on $IrO_2$ electrode by spin coating method using photosensitive sol-gel solution. To ensure the UV-exposure effect on SBT thin films, UV irradiated films and non-UV irradiated films were analyzed by XRD, SEM. As a result, UV-irradiation on SBT thin films promoted grain growth of SBT compared with no UV irradiation. In case of the UV irradiated films annealed at$740{\circ}C$for 1 h in an oxygen ambient, the 2Pr value and Pr/Ps at${pm}5$V were$11.48{mu}C/cm^2$and 0.53, respectively. 2Pr values of the UV irradiated SBT thin films at$660-740{circ}C were approximately 12% higher than those of non-UV irradiated thin films.

국문 초록 (Abstract)

광감응성 sol-gel 용액을 사용하여 spin coating법으로 $IrO_2$전극 위에 $Sr_{0.9}$$Bi_{2.1}$$Ta_2$$O_{9}$ 박막을 성막하였다. UV 노광이 SBT 박막에 어떤 영향을 미치는지 알아보기 위해 UV 노광을 한 시편과 하지 않은 시편을 XRD 및 SEM로 분석한 결과 UV 노광이 SBT 결정성장을 촉진함을 확인할 수 있었다. UV 노광을 하고 $740^{\circ}C$ 산소분위기에서 1시간 로열처리 한 SBT 박막의 경우 2Pr 값은 5V 인가전압하에서 11.48$\mu$C/$ extrm{cm}^2$, Pr/Ps 값은 0.53이었고 660-$740^{\circ}C$에서 UV 노광을 하지 않은 시편에 비해 UV 노광을 한 시편들에서 약 12% 높은 2Pr 값을 얻었다.