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2006년
eng
1063-7826
1090-6479
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
SEMICONDUCTORS -NEW YORK- C/C OF FIZIKA I TEKHNIKA POLUPROVODNIKOV
443-448 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Simulation of aluminum diffusion in silicon in inert and oxidizing media
The correlation between the surface-energy minima and the shape of self-induced SiGe nanoislands