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2009년
eng
0022-0248
1873-5002
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
3997-4000 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Bulk single-crystal growth of ternary AlxGa1-xN from solution in gallium under high pressure
The reduction of the misfit dislocation in non-doped AlAs/GaAs DBRs