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1994년
eng
2166-2746
2166-2754
SCIE
학술저널
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY B MICROELECTRONICS PROCESSING AND PHENOMENA
2562-2567 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
Physics and chemistry of semiconductor interfaces
21st Annual conference
New Paltz; NY
1994; Jan
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Schottky barrier study of ion implantation damage in GaAs
Optical properties of InAs/InP surface layers formed during the arsenic stabilization process