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2002년
eng
0042-207X
1879-2715
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
VACUUM -LONDON THE OXFORD- PERGAMON-
149-154 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
Semiconductor surface passivation
International seminar; 2nd
Ustron, Poland
2001; Sep
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Surface passivation by dissociative molecular adsorption
Adsorption of GeH2 on the bare and hydrogenated Ge(001) surfaces