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2003년
eng
1063-7826
1090-6479
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
SEMICONDUCTORS -NEW YORK- C/C OF FIZIKA I TEKHNIKA POLUPROVODNIKOV
661-666 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Hydrogen-Induced Splitting in Silicon over a Buried Layer Heavily Doped with Boron
A Model of Reduction of Oxidation-Enhanced Diffusion in Heavily Doped Si Layers
Defect Profiling in Semiconductor Layers by the Electrochemical Method