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      전기장과 자기장하의 GaAs/AlxGa1xAs 다중 양자 우물 내 플라즈몬의 광학적 속성 = Optical Properties of Plasmons in a GaAs/AlxGa1xAs Multiple Quantum Well Under Electric and Magnetic Fields

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      The plasmon behaviors in a superlattice of GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As multiple quantum wells with a half-parabolic confining potential due to different dielectric interfaces are studied under magnetic and electric fields perpendicular and parallel to the superlattice axis by using a previously published theoretical framework. From the density-density correlation functions by considering the intrasubband and the inter-subband transitions under the random phase approximation, we calculate the dispersion energies of the surface and the bulk states as functions of the composition of the multiple quantum well structure and of the magnetic field strength and the average electric field strength over the quantum well. The Raman intensities for various magnetic field strengths and average electric field strengths over the quantum well are also obtained as a function of the energy of the incoming light for these states.
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      The plasmon behaviors in a superlattice of GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As multiple quantum wells with a half-parabolic confining potential due to different dielectric interfaces are studied under magnetic and electric fields perpendicular and parallel to the...

      The plasmon behaviors in a superlattice of GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As multiple quantum wells with a half-parabolic confining potential due to different dielectric interfaces are studied under magnetic and electric fields perpendicular and parallel to the superlattice axis by using a previously published theoretical framework. From the density-density correlation functions by considering the intrasubband and the inter-subband transitions under the random phase approximation, we calculate the dispersion energies of the surface and the bulk states as functions of the composition of the multiple quantum well structure and of the magnetic field strength and the average electric field strength over the quantum well. The Raman intensities for various magnetic field strengths and average electric field strengths over the quantum well are also obtained as a function of the energy of the incoming light for these states.

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      국문 초록 (Abstract)

      GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As 다중 양자 우물들에 의한 초격자내 플라즈몬들이 다른 유전 계면과 반포물선 구속 퍼텐셜에 의한 거동을 초격자 축에 수직한 자기장과 평행한 전기장하에서 이전의 이론적 토대하에서 연구하였다. 막 위상 근사 방법을 사용하여 부 밴드 내와 부 밴드 사이의 전이가 고려된 밀도-밀도 상관 함수로부터 표면과 벌크 상태의 분산 에너지를 전체 양자 우물의 평균 전기장, 자기장의 세기 및 조성비의 함수로 얻었다. 또한 여러 가지 평균 전기장, 자기장의 세기에 대한 라만 세기를 그들 상태에 대해 입사광의 에너지 함수로 얻었다.
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      GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As 다중 양자 우물들에 의한 초격자내 플라즈몬들이 다른 유전 계면과 반포물선 구속 퍼텐셜에 의한 거동을 초격자 축에 수직한 자기장과 평행한 전기장하에서 이전의 이론...

      GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As 다중 양자 우물들에 의한 초격자내 플라즈몬들이 다른 유전 계면과 반포물선 구속 퍼텐셜에 의한 거동을 초격자 축에 수직한 자기장과 평행한 전기장하에서 이전의 이론적 토대하에서 연구하였다. 막 위상 근사 방법을 사용하여 부 밴드 내와 부 밴드 사이의 전이가 고려된 밀도-밀도 상관 함수로부터 표면과 벌크 상태의 분산 에너지를 전체 양자 우물의 평균 전기장, 자기장의 세기 및 조성비의 함수로 얻었다. 또한 여러 가지 평균 전기장, 자기장의 세기에 대한 라만 세기를 그들 상태에 대해 입사광의 에너지 함수로 얻었다.

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      참고문헌 (Reference)

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      2016-09-05 학술지명변경 외국어명 : Sae Mulli(New Physics) -> New Physics: Sae Mulli KCI등재
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.18 0.18 0.17
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
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