Electronic States of GaAs Surfaces = GaAs 表面의 電子狀態

국문 초록 (Abstract)

반도체 表面 및 界面 물리학에서 논란이 되고 있는 문제는, 表面 또는 界面의 結晶學的 구조와 이들을 구성하고 있는 化學的 成分 및 이들 영역내에서의 電子的 特性사이의 相關關係를 理解하는데 있다.
특히 表面 또는 界面에 局在한 상태(surface state)의 원인과 위치, 그리고 이들이 表面의 각종 再構成에 의하여 變化되는 樣狀을 統一的으로 이해하려는 노력들이 지난 수년간 활발하게 진행되어 왔다. 本 論文에서는 表面效果나 構造的 變形의 원인들을 이해하는데 통찰력을 주는 理想的인 表面의 電子的 상태를 계산하였다.
LDOS와 subspace Hamiltionan tenchnique을 이용하여 再構成되지 않은 GaAs(111)-(1×1)面의 電子 構造를 결정하였고 이러한 결과들은 pseuolopotential등 다른 理論的 方法에 의하여 計算한 結果와 잘 一致됨을 볼 수 있었다.