반도체 광증폭기로 형성된 방향성 결합기에서의 파장변환 특성 모델링 = Modeling of Wavelength Conversion Characteristics in Directionally Coupled Semiconductor Optical Amplifier

국문 초록 (Abstract)

파장변환 소자는 최근에 급격히 발전하는 광네트웍을 구축하기 위한 필수적인 소자로서 여러 가지 형태에 대한 연구개발이 진행되고 있다. 그 중에서도, 최근에는 광증폭기로 형성된 방향성 결합기 구조에서의 상호 위상변조(XPM: Cross Phase Modulation)에 의한 파장변환에 대한 개념이 제안되고 가능성이 실험적으로 입증된 바 있다. 본 논문에서는 연산자 분리 방법을 적용하여 상승한 파장변환기를 해석하기에 적당하도록 시영역 동적 모델을 구현하고, 파장변환 특성을 여러 기지 면에서 분석하여 보았다. 모델링 결과는 다른 연 구자의 실험 결과를 잘 설명할 수 있음을 보였으며, 실험에서 제시되지 않았던 신호광과 변환된 광파가 역방향으로 진행하는 경우의 파장변환 특성 등에 대해서도 이 파장변환기가 잘 동작함을 보였다. 주파수 처핑의 경우 광펄스의 시작과 끝점 모두에서 정처핑과 부처핑이 동시에 발생함을 보았다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Wavelength conversion devices are essential to build an expanding all-optical network, and various types of wavelength conversion techniques are being researched. Among them, wavelength conversion based on the cross phase modulation in a directionally coupled semiconductor optical amplifier has been introduced and the concept has been experimentally proved. In this paper, a split-step method is applied to properly model the mentioned wavelength converter in the time-domain and various characteritics have been analyzed. It is shown that the present modeling approach can explain the results of the reported experimental results. Furthermore the wavelength conversion is shown to be well performed when the input signal wave and the converted wave travels in the opposite direction. The simulation shows that the positive and negative chirping appear simultaneously at both the leading and trailing edges of the optical pulse.

목차 (Table of Contents)

• 요약
• Abstract
• Ⅰ. 서론
• Ⅱ. 반도체 광증폭기로 형성된 방향성 결합기를 이용한 파장변환 모델링 방법
• Ⅲ. 반도체 광증폭기로 형성된 방향성 결합기의 파장변환 특성 해석
• Ⅳ. 결론
• 참고문헌
• 저자소개