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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      KCI등재 SCI SCIE SCOPUS

      Comparison of TiN and TiN/Ti/TiN Multilayer Films for Diffusion Barrier Applications

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      https://www.riss.kr/link?id=A104316216

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      TiN and TiN/Ti/TiN multilayer lms with dierent Ti-interlayer thicknesses of 50 and 100 A were deposited by using a sputtering method and their metal barrier characteristics were investigated. TiN lms showed relatively constant compositional depth p...

      TiN and TiN/Ti/TiN multilayer lms with dierent Ti-interlayer thicknesses of 50 and 100
      A
      were deposited by using a sputtering method and their metal barrier characteristics were investigated.
      TiN lms showed relatively constant compositional depth proles with slightly nitrogen rich
      stoichiometry. TiN/Ti/TiN multilayer lms showed a relatively clear interface between the Ti and
      the TiN layers. TiN lms showed barrier failure after annealing at 500 C while the TiN/Ti/TiN
      multilayer lms showed higher failure temperatures than that of TiN lm. TiN/Ti/TiN multilayer
      lms also showed that the temperature stability of barrier layer was enhanced with increasing Tiinterlayer
      thickness. This study presents the barrier characteristics of TiN/Ti/TiN multilayer lms
      and their potential applications as copper diusion barriers without any modication of the current
      TiN deposition system

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      학술지 인용정보

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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.47 0.15 0.31
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.26 0.2 0.26 0.03
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