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    ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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    § ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
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    Robust operation of a GaAs tunable barrier electron pump

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    <P>We demonstrate the robust operation of a gallium arsenide tunable-barrier single-electron pump operating with 1 part-per-million accuracy at a temperature of 1.3 K and a pumping frequency of 500 MHz. The accuracy of current quantisation is investigated as a function of multiple control parameters, and robust plateaus are seen as a function of three control gate voltages and RF drive power. The electron capture is found to be in the decay-cascade, rather than the thermally-broadened regime. The observation of robust plateaus at an elevated temperature which does not require expensive refrigeration is an important step towards validating tunable-barrier pumps as practical current standards.</P>
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    <P>We demonstrate the robust operation of a gallium arsenide tunable-barrier single-electron pump operating with 1 part-per-million accuracy at a temperature of 1.3 K and a pumping frequency of 500 MHz. The accuracy of current quantisation...

    <P>We demonstrate the robust operation of a gallium arsenide tunable-barrier single-electron pump operating with 1 part-per-million accuracy at a temperature of 1.3 K and a pumping frequency of 500 MHz. The accuracy of current quantisation is investigated as a function of multiple control parameters, and robust plateaus are seen as a function of three control gate voltages and RF drive power. The electron capture is found to be in the decay-cascade, rather than the thermally-broadened regime. The observation of robust plateaus at an elevated temperature which does not require expensive refrigeration is an important step towards validating tunable-barrier pumps as practical current standards.</P>

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