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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      Gas-Sensing Characteristics of Exfoliated WSe<sub>2</sub> Field-Effect Transistors

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      https://www.riss.kr/link?id=A107506671

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      <P>A WSe2 field-effect transistor-based gas sensor is prepared and its gas-sensing performance is investigated. A highly n-doped silicon is used as a back-gate electrode and a WSe2 flake transferred from bulk WSe2 crystal is used as a gas-sensin...

      <P>A WSe2 field-effect transistor-based gas sensor is prepared and its gas-sensing performance is investigated. A highly n-doped silicon is used as a back-gate electrode and a WSe2 flake transferred from bulk WSe2 crystal is used as a gas-sensing layer, which acts as a p-type channel. The sensing characteristics of the sensor are measured for four target gases (NO2, SO2, NH3, H2S) at 25 degrees C. At a fixed concentration of 1 ppm, drain currents are changed by 347%, 72%, 16% and 26% in NO2, NH3, SO2 and H2S, respectively. The sensing mechanisms for oxidizing (NO2 and SO2) and reducing (NH3 and H2S) gases are explained.</P>

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