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1994년
eng
2166-2746
2166-2754
SCIE
학술저널
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY B MICROELECTRONICS PROCESSING AND PHENOMENA
1110-1112 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
1563963450
Molecular-beam epitaxy
13th North American conference
Stanford; CA
1993; Sep
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Reactive ion etching of AlInGaP and GaAs in SiCl~4/CH~4/Ar-based plasmas
Electron cyclotron resonance plasma oxidation studies of InP