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2010년
eng
0916-8524
1745-1353
SCIE;SCOPUS
학술저널
IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E SERIES C
1273-1278 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Analysis of Passivation-Film-Induced Stress Effects on Electrical Properties in AlGaN/GaN HEMTs
2D Device Simulation of AlGaN/GaN HFET Current Collapse Caused by Surface Negative Charge Injection
On the Large Signal Evaluation and Modeling of GaN FET