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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      Coarse-Fine 기법을 이용한 향상된 디지털 LDO 구현

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      The digital low dropout regulator (D-LDO) has recently attracted significant attention for its suitability in low voltage applications and scal-ability with advanced semiconductor processes. However, the trade-off between current efficiency and transient response speed has limited its applications. This paper presents a novel Coarse–Fine-Tuning approach to improve the performance of the D-LDO. Verified in a 45-nm CMOS process, the proposed design achieves a voltage overshoot of 26.31 mV during a load change from 0 to 2 mA with a 20-ns transition time. The quiescent current is measured at 193.8 μA, and the design achieves a figure of merit of 1.22-ps.
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      The digital low dropout regulator (D-LDO) has recently attracted significant attention for its suitability in low voltage applications and scal-ability with advanced semiconductor processes. However, the trade-off between current efficiency and transi...

      The digital low dropout regulator (D-LDO) has recently attracted significant attention for its suitability in low voltage applications and scal-ability with advanced semiconductor processes. However, the trade-off between current efficiency and transient response speed has limited its applications. This paper presents a novel Coarse–Fine-Tuning approach to improve the performance of the D-LDO. Verified in a 45-nm CMOS process, the proposed design achieves a voltage overshoot of 26.31 mV during a load change from 0 to 2 mA with a 20-ns transition time. The quiescent current is measured at 193.8 μA, and the design achieves a figure of merit of 1.22-ps.

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