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2006년
eng
1369-8001
1873-4081
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
230-235 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Origin of the fluctuations in the luminescence emission in InGaN quantum wells
Spatially resolved X-ray diffraction measurements on (Al,Ga)N/GaN