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1994년
eng
0951-3248
SCI;SCIE
학술저널
CONFERENCE SERIES- INSTITUTE OF PHYSICS
369-372 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
0750302267
Compound semiconductors 1994
21st International symposium
San Diego; CA
1994; Sep
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Electron emission at Si~3N~4-GaAs interfaces prepared with H~2, Ar and H~2~+Ar plasma pretreatments
Local vibrational mode spectroscopy of beryllium- and zinc-hydrogen complexes in GaP
High quality etched/regrown GaAs/GaAs interfaces formed by an all in-situ Cl~2 etching process