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Negative bias temperature instability: What do we understand?
Schroder, D. K. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 p.841-852
A comprehensive model for PMOS NBTI degradation: Recent progress
Alam, M. A.; Kufluoglu, H.; Varghese, D.; Mahapatra, S. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 p.853-862
Chakravarthi, S.; Krishnan, A. T.; Reddy, V.; Krishnan, S. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 p.863-872
NBTI product level reliability for a low-power SRAM technology
Puchner, H. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 p.873-879
Houssa, M.; Aoulaiche, M.; De Gendt, S.; Groeseneken, G.; Heyns, M. M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 p.880-889
Deep level defects involved in MOS device instabilities
Lenahan, P. M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 p.890-898
Hydrogen transport in doped and undoped polycrystalline silicon
Nickel, N. H. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 p.899-902
Hydrogen in MOSFETs - A primary agent of reliability issues
Pantelides, S. T.; Tsetseris, L.; Rashkeev, S. N.; Zhou, X. J.; Fleetwood, D. M.; Schrimpf, R. D. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 p.903-911
Challenges of Ta2O5 as high-k dielectric for nanoscale DRAMs
Atanassova, E.; Paskaleva, A. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 p.913-923
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