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A strategy for characterization and evaluation of ESD robustness of CMOS semiconductor technologies
Voldman, S. Pergamon; 1999 2001 p.335-348
An anti-snapback circuit technique for inhibiting parasitic bipolar conduction during EOS/ESD events
Smith, J. C. Pergamon; 1999 2001 p.349-357
Stacked PMOS clamps for high voltage power supply protection
Maloney, T. J. Pergamon; 1999 2001 p.359-366
Reliability considerations for ESD protection under wire bonding pads
Anderson, W. R. Pergamon; 1999 2001 p.367-373
Influence of gate length on ESD-performance for deep submicron CMOS technology
Bock, K. Pergamon; 1999 2001 p.375-383
Goner, H. Pergamon; 1999 2001 p.385-393
Investigations on double-diffused MOS transistors under ESD zap conditions
Boselli, G. Pergamon; 1999 2001 p.395-405
Issues concerning charged device model ESD verification modules - the need to move to alumina
Henry, L. G. Pergamon; 1999 2001 p.407-415
Ker, M. D. Pergamon; 1999 2001 p.417-429
Transport and noise properties of CdTe(Cl) crystals
Schauer, P. Pergamon; 1999 2001 p.431-436
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