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Review of add-on process modules for high-frequency silicon technology
Burghartz, J. N. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.409-418
Detailed study and projection of hard breakdown evolution in ultra-thin gate oxides
Suehle, J. S.; Zhu, B.; Chen, Y.; Bernstein, J. B. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.419-426
Gate dielectric breakdown in the time-scale of ESD events
Weir, B. E.; Leung, C. C.; Silverman, P. J.; Alam, M. A. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.427-436
Voldman, S. H. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.437-455
Vashchenko, V. A.; Hopper, P. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.457-471
Failure mechanisms in thermal inkjet printhead analyzed by experiments and numerical simulation
Lim, J. h.; Kuk, K.; Shin, S. j.; Baek, S. s.; Kim, Y. j.; Shin, J. w.; Oh, Y. s. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.473-478
Low voltage SILC and P- and N-MOSFET gate oxide reliability
Petit, C.; Meinertzhagen, A.; Zander, D.; Simonetti, O.; Fadlallah, M.; Maurel, T. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.479-485
Goguenheim, D.; Bravaix, A.; Gomri, S.; Moragues, J. M.; Monserie, C.; Legrand, N.; Boivin, P. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.487-492
Cort?s, I.; Roig, J.; Flores, D.; Urresti, J.; Hidalgo, S.; Rebollo, J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.493-498
Impact of gate-leakage currents on CMOS circuit performance
Marras, A.; De Munari, I.; Vescovi, D.; Ciampolini, P. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.499-506
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