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이 학술지의 논문 검색
High voltage degradation of GaN High Electron Mobility Transistors on silicon substrate
Demirtas, S.; Joh, J.; Alamo, J. A. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 p.758-762
Determination of GaN HEMT reliability by monitoring IDSS
Pazirandeh, R.; Wurfl, J.; Trankle, G. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 p.763-766
Joh, J.; Gao, F.; Palacios, T.; del Alamo, J. A. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 p.767-773
Physically based models of electromigration: From Black's equation to modern TCAD models
de Orio, R. L.; Ceric, H.; Selberherr, S. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 p.775-789
Kakushima, K.; Tachi, K.; Ahmet, P.; Tsutsui, K.; Sugii, N.; Hattori, T.; Iwai, H. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 p.790-793
Constant current stress-induced leakage current in mixed HfO2-Ta2O5 stacks
Atanassova, E.; Novkovski, N.; Paskaleva, A.; Spassov, D. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 p.794-800
Voltage stress effect on class AB power amplifier and mixed-signal sample-hold circuit
Yuan, J. S.; Ma, J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 p.801-806
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