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Special section reliability and variability of devices for circuits and systems
Asenov, A.; Schlichtmann, U.; Tan, C. M.; Wong, H.; Zhou, X. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 p.1057
Robustness measurement of integrated circuits and its adaptation to aging effects
Barke, M.; Kaergel, M.; Olbrich, M.; Schlichtmann, U. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 p.1058-1065
Herkersdorf, A.; Aliee, H.; Engel, M.; Glasz, M.; Gimmler-Dumont, C.; Henkel, J.; Kleeberger, V. B.; Kochte, M. A.; Kuhn, J. M.; Mueller-Gritschneder, D.; Nassif, S. R.; Rauchfuss, H.; Rosenstiel, W.; Schlichtmann, U.; Shafique, M.; Tahoori, M. B.; Teich, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 p.1066-1074
Monitoring of aging in integrated circuits by identifying possible critical paths
Lorenz, D.; Barke, M.; Schlichtmann, U. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 p.1075-1082
Kleeberger, V. B.; Barke, M.; Werner, C.; Schmitt-Landsiedel, D.; Schlichtmann, U. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 p.1083-1089
Improved device variability in scaled MOSFETs with deeply retrograde channel profile
Woo, J.; Chien, P. Y.; Yang, F.; Song, S. C.; Chidambaram, C.; Wang, J.; Yeap, G. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 p.1090-1095
Analytical compact modeling and statistical variability study of LDMOS
Zhou, H.; Zhou, X.; Benistant, F. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 p.1096-1102
Modeling and analysis of gate-all-around silicon nanowire FET
Chen, X.; Tan, C. M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 p.1103-1108
Chen, Z.; Wong, H.; Han, Y.; Dong, S.; Yang, B. L. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 p.1109-1114
Thermal stability of sectorial split-drain magnetic field-effect transistors
Tam, W. S.; Kok, C. W.; Siu, S. L.; Tang, W. M.; Leung, C. W.; Wong, H. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 p.1115-1118
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