http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
이 학술지의 논문 검색
Comprehensive gate-oxide reliability evaluation for DRAM processes (Invited Paper)
Vollertsen, R.-P.; Abadeer, W. W. Pergamon 1996 p.1631-1638
A new physics-based model for time-dependent dielectric breakdown (Invited Paper)
Schlund, B. J.; Suehle, J.; Messick, C.; Chaparala, P. Pergamon 1996 p.1655-1658
The impact of oxide degradation on the low frequency (I/f) noise behaviour of p channel MOSFETs
Hurley, P. K.; Sheehan, E.; Moran, S.; Mathewson, A. Pergamon 1996 p.1679-1682
Thompson, C. V.; Knowlton, B. D. Pergamon 1996 p.1683-1690
Study of the soft leakage current induced ESD on LDD transistor (Invited Paper)
Wada, T. Pergamon 1996 p.1707-1710
Nanoscopic evaluation of semiconductor properties by scanning probe microsopies (Invited Paper)
Balk, L. J.; Heiderhoff, R.; Koschinski, P.; Maywald, M. Pergamon 1996 p.1767-1774
Wolbert, P. M. M.; Brombacher, A. C. Pergamon 1996 p.1791-1798
Examination of reflow resistance for copper frame SMD products (Invited Paper)
Setoya, T.; Matsuura, T.; Furuta, K.; Terui, Y. Pergamon 1996 p.1799-1802
Wafer level reliability: process control for reliability (Invited Paper)
Turner, T. E. Pergamon 1996 p.1839-1846
A wafer level reliability method for short-loop processing
Duluc, J. B.; Zimmer, T.; Milet, N.; Dom, J. P. Pergamon 1996 p.1859-1866
SJR(SCImago Journal Rank)는 스페인 Consejo Superior de Investigaciones Cintificas의 Felix de Moya 교수에 의해 개발된 것으로, '모든 인용은 동등하지 않다'는 전제를 기반으로 둔 학술지의 영향력 지수입니다.
구글의 Page Rank 알고리즘의 영향을 받아 전체 인용 네트워크에서 노드에 점수를 매기는 방식으로, 명성이 높은 저널에서의 인용은 고득점으로 평가되어 같은 인용이라도 보다 높게 평가 됩니다. 또한 저널의 주제분야, 질과 명성이 모두 직접 영향을 미치는 평가 지료라고 할 수 있습니다.
Scopus 데이터의 인용정보를 활용하여 산출되며, Scopus에 등재되지 않은 OA 저널평가에도 유용합니다.