RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      KCI등재 SCOPUS SCIE

      Analysis of ion energy impact on the refractive index of silicon nitride films by use of neural network model

      한글로보기

      https://www.riss.kr/link?id=A104228508

      • 0

        상세조회
      • 0

        다운로드
      서지정보 열기
      • 내보내기
      • 내책장담기
      • 공유하기
      • 오류접수

      부가정보

      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Physical ion bombardment plays a crucial role in determining refractory properties of silicon nitride films. The duty ratio is also a critical parameter that controls the amount of radio frequency power delivered to a plasma. In this study, impacts of duty ratio-induced ion energy on the refractive index are investigated. Silicon nitride films are deposited using a pulsed-plasma enhanced chemical vapor deposition. Ion energy variables and their relationship with the refractive index are studied. We report a decrease of the refractive index with decreasing duty ratio as well as a strong relationship of the refractive index with the ratio of high (or low) ion energy to high ion energy flux. A neural network model is developed to predict the effect of ion energy parameters.
      번역하기

      Physical ion bombardment plays a crucial role in determining refractory properties of silicon nitride films. The duty ratio is also a critical parameter that controls the amount of radio frequency power delivered to a plasma. In this study, impacts of...

      Physical ion bombardment plays a crucial role in determining refractory properties of silicon nitride films. The duty ratio is also a critical parameter that controls the amount of radio frequency power delivered to a plasma. In this study, impacts of duty ratio-induced ion energy on the refractive index are investigated. Silicon nitride films are deposited using a pulsed-plasma enhanced chemical vapor deposition. Ion energy variables and their relationship with the refractive index are studied. We report a decrease of the refractive index with decreasing duty ratio as well as a strong relationship of the refractive index with the ratio of high (or low) ion energy to high ion energy flux. A neural network model is developed to predict the effect of ion energy parameters.

      더보기

      참고문헌 (Reference)

      1 S. Bae, 44 : 1355-, 2000

      2 G. Suchaneck, 142 : 808-, 2001

      3 B. Kim, 86 : 63-, 2009

      4 D.F. Specht, 2 : 568-, 1991

      5 T.M. Klein, A17 : 108-, 1999

      6 J.-D. Gu, 498 : 2-, 2006

      7 T.T.T. Pham, 202 : 5617-, 2008

      8 H. Zhou, 45 : 8388-, 2006

      9 B. Kim, 517 : 4090-, 2009

      10 S. Kim, 518 : 6554-, 2010

      1 S. Bae, 44 : 1355-, 2000

      2 G. Suchaneck, 142 : 808-, 2001

      3 B. Kim, 86 : 63-, 2009

      4 D.F. Specht, 2 : 568-, 1991

      5 T.M. Klein, A17 : 108-, 1999

      6 J.-D. Gu, 498 : 2-, 2006

      7 T.T.T. Pham, 202 : 5617-, 2008

      8 H. Zhou, 45 : 8388-, 2006

      9 B. Kim, 517 : 4090-, 2009

      10 S. Kim, 518 : 6554-, 2010

      11 B. Kim, 2008

      12 W.A.P. Claassen, 130 (130): 2419-, 1983

      13 김병환, "Room-Temperature High Radio-Frequency Source Power Effects on Silicon Nitride Films Deposited by using a Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition" 대한금속·재료학회 14 (14): 637-641, 2008

      14 Sanghee Kwon, "Impact of bias power-induced ion energy on refractive index of SiN films room-temperature deposited in SiH4–NH3–N2 pulsed plasma" 한국물리학회 10 (10): 369-371, 2010

      15 D.E. Goldberg, "Genetic Algorithms in Search, Optimization & Machine learning" Addison Wesley 1989

      16 김대현, "Duty Ratio-Controlled Surface Roughness of Silicon Nitride Film deposited using Room-Temperature SiH₄-NH₃-N₂ Plasma" 대한금속·재료학회 6 (6): 161-166, 2010

      더보기

      분석정보

      View

      상세정보조회

      0

      Usage

      원문다운로드

      0

      대출신청

      0

      복사신청

      0

      EDDS신청

      0

      동일 주제 내 활용도 TOP

      더보기

      주제

      연도별 연구동향

      연도별 활용동향

      연관논문

      연구자 네트워크맵

      공동연구자 (7)

      유사연구자 (20) 활용도상위20명

      인용정보 인용지수 설명보기

      학술지 이력

      학술지 이력
      연월일 이력구분 이력상세 등재구분
      2023 평가예정 해외DB학술지평가 신청대상 (해외등재 학술지 평가)
      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) KCI등재
      2008-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2007-01-01 평가 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
      2003-01-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
      더보기

      학술지 인용정보

      학술지 인용정보
      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 1.8 0.18 1.17
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.92 0.77 0.297 0.1
      더보기

      이 자료와 함께 이용한 RISS 자료

      나만을 위한 추천자료

      해외이동버튼