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1995년
eng
0272-9172
학술저널
MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS
657-662 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
1558992804
Amorphous silicon technology
Symposium; Spring meeting
San Francisco; CA
1995
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The Influence of Frequency and Pressure on the Material Quality of PECVD a-Si:H
Effect of Plasma Damage on Interface State Density Between a-Si:H and Insulating Films
Formation of a-Si:H Film by p-CVD Method with SiH~4-He Mixture and its Opto-electronic Properties