1 G. Feng, 59 : 414-, 2012
2 A. Kinoshita, 556-557 : 877-, 2007
3 M. K. Das, 483-485 : 965-, 2005
4 D. Peters, 645-648 : 901-, 2009
5 K. Vasilevskiy, 679-680 : 555-, 2010
6 T. Sameshima, 74 : 719-, 2002
7 G. H. Kim, 30 : 991-, 2009
8 W. Sung, 32 : 880-, 2011
9 F. Ren, 44 : 619-, 2000
10 J. A. Ellis, 76 : 124-, 2000
1 G. Feng, 59 : 414-, 2012
2 A. Kinoshita, 556-557 : 877-, 2007
3 M. K. Das, 483-485 : 965-, 2005
4 D. Peters, 645-648 : 901-, 2009
5 K. Vasilevskiy, 679-680 : 555-, 2010
6 T. Sameshima, 74 : 719-, 2002
7 G. H. Kim, 30 : 991-, 2009
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11 M.Wolborski, KTH 2006
12 K. S. Kim, 11 : 1-, 2011
13 T. C. Chou, 52 : 1317-, 1988
14 B. J. Baliga, "Silicon Carbide Power Devices" World Scientific 2005
15 B. J. Baliga, "Power Semiconductor Devices" PWS 1996
16 V. K. Khanna, "IGBT Theory and Design" IEEE Press 2003
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18 In-Ho Kang, "Effect of a Post-annealing Etch Process on the Electrical Performances of 4H-SiC Schottky Diodes" 한국물리학회 55 (55): 1036-1040, 2009