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2018년
eng
0361-5235
1543-186X
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
1431-1446 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Mapping of Lattice Strain in 4H-SiC Crystals by Synchrotron Double-Crystal X-ray Topography
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