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2016년
eng
0361-5235
1543-186X
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
4697-4704 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Surface Leakage Mechanisms in III–V Infrared Barrier Detectors
Hole Transport in Arsenic-Doped Hg1−x Cd x Te with x ≥ 0.5