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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      LCAO기저함수와 슈도포텐셜을 이용한 Sn의 에너지밴드 계산 = An Energy Band Calculation of Sn using the Pseudopotential with LCAO Bases

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      https://www.riss.kr/link?id=A2027843

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      국문 초록 (Abstract)

      슈도포텐셜을 이용한 LCAO법으로 금속성 반도체인 Sn 결정의 에너지 밴드를 계산하였다. Hartree-Fock-Slater의 방법으로 원자의 파동함수를 계산한 후 1s∼5d 궤도를 이용하여 Bloch 기저함수를 구...

      슈도포텐셜을 이용한 LCAO법으로 금속성 반도체인 Sn 결정의 에너지 밴드를 계산하였다. Hartree-Fock-Slater의 방법으로 원자의 파동함수를 계산한 후 1s∼5d 궤도를 이용하여 Bloch 기저함수를 구성하였다. LCAO법에서 나타나는 다중적분의 계산을 위하여는 이산변분(discrete variational)법을 사용하였고 2152점의 대표점을 선택하였다. 본 계산의 결과는 평면파를 이용한 EPM의 결과와 잘 일치하여 LCAO법에 의한 에너지 밴드 계산도 정확한 결과를 얻을 수 있다는 결론을 얻게 되었다

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      The energy bands of metallic semiconductor Sn are calculated by the method of LCAO using the pseudopotential. The Bloch bases are constructed by 1s∼5d atomic orbitals calculated by the Hartree-Fock-Slater method. We use the discrete variational me...

      The energy bands of metallic semiconductor Sn are calculated by the method of LCAO using the pseudopotential. The Bloch bases are constructed by 1s∼5d atomic orbitals calculated by the Hartree-Fock-Slater method. We use the discrete variational method for the calculation of the inevitable multi-center integral in the method of LCAO, and we select 2152 sample points for the calculation. We obtain very good agreement with the plane wave EPM results and conclude that the energy band calculation by the method of LCAO can produce the exact results.

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