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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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§ ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
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      KCI등재 SCI SCIE SCOPUS

      Characterization of Ultra-Thin HfO2 Gate Oxide Prepared by Using Atomic Layer Deposition

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      https://www.riss.kr/link?id=A104316313

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Ultra-thin hafnium-oxide lms were deposited by using atomic layer deposition. The impurity distribution and the lm properties were studied in the deposition temperature range between 200 C and 400 C. Suppressed crystallization with eective Cl impurity...

      Ultra-thin hafnium-oxide lms were deposited by using atomic layer deposition. The impurity
      distribution and the lm properties were studied in the deposition temperature range between 200
      C and 400 C. Suppressed crystallization with eective Cl impurity reduction was obtained at
      medium temperature (300 C), which resulted in a hafnium-oxide lm with a low leakage current
      (2.06*10-7A/cm2 at -2.0 MV/cm) and a small equivalent oxide thickness value (23.9 A) at the
      same time.

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      학술지 인용정보

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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.47 0.15 0.31
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.26 0.2 0.26 0.03
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