나노급 소자에 적합한 Nickel GermanoSilicide에 대한 연구

국문 초록 (Abstract)

본 논문에서는 20％ Ge 조성 비율을 갖는 SiGe 200㎚에 1％-Nitrogen doping된Nickel 을 이용하여 새로운 Nickel Germanosilicide 방법을 제안하여 Ni-Germanosilicide의 단점인 열 안정성 개선에 대해 연구하였다. Nitrogen atom이 grain boundary에 존재하여 Nickel의 diffusion을 억제시키는 역할을 하여 shallow한 실리사이드와 uniform한 실리사이드 계면 특성을 얻게 되었다. 그리고 실리사이드 형성 후, 고온로 열처리 600도 30분 후에도 낮고 안정한 면 저항 특성으로 열 안정성 개선 할 수 있다. 그리고 여러 가지 Tri-layer 구조 즉, Ti/Ni/TiN, Ni/Ti/TiN, Co/Ni/TiN, Ni/Co/TiN를 적용하였다. Ni silicide 공정에서는 보통 1-step RTP를 적용하지만, Ni-Germanosilicide의 열안정성을 개선하기 위해 2-step RTP를 적용하였다. 제시한 구조 중에서 높은 Co 비율의 Ni/Co/TiN 구조에 의한 2-step RTP로 형성된 Ni-Germanosilicide는 매우 좋은 열 안정성을 갖고 있다. 613도 이상의 고온로 열처리 후, As 기판에서 형성된 Ni-Germanosilicide는 이상산화에 의해 급격히 면저항이 증가하는데 Co/Ni/TiN과 Ti/Ni/TiN 구조, 특히 Ti/Ni/TiN 구조에 의해 이상 산화를 방지하였고 또한 면저항 증가도 방지 할 수 있었다.

목차 (Table of Contents)

• Ⅰ. 서론
• Ⅱ. 실험 방법
• Ⅲ. 실험결과 및 고찰
• Ⅳ. 결론