ZnTe of Electro-Optic Modulator(1)

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

For the purpose of fabricating an electro-optic (E-O) modulator of ZnTe, we introduced an improved method
for growing ZnTe crystals. Since pure ZnTe has a p-type conductivity, we use an indium
impurity and the charge--compensation effects to make insulating ZnTe .
From the X-ray diffraction patterns and the X-ray double--crystal rocking curve (DCRC), we found that the crystal surface
was the (110) plane and that the crystal was very high quality.
With this crystal, we made a ZnTe E-O modulator device, and as a test result, we confirmed that the modulation signal
varied linearly from 15 mV to 95 mV when an input signal of 25 V to 150 V was applied. The modulator followed
the Pockels effect exactly. Also, we obtained a significant modulation signal at 1.7 kHz and at 200 kHz.

국문 초록 (Abstract)

ZnTe의 Electro-Optic(E-O) modulator를 만들기 위하여 ZnTe 단결정을 향상된 기술로 성장시키었다.
또 순수한 ZnTe 단결정이 p형이기 때문에 In을 주입하여 전하보상 효과에 의한 Insulating ZnTe를 만들었다.
이들 단결정의 벽개면이 (110)면이 되는 것과 결정질을 평가하기 위해서
X-선 회절 및 X-선 double crystal rocking curve(DCRC)를 측정하였다.
실제로 이 결정을 이용하여 ZnTe E-O modulator를 제작하고, 60Hz 신호로 25-150V까지 인가하여
검출기 신호가 15mV에서 95mV까지 아주 선형적으로 변화하여, 이 modulator가 Pockels effect를 그대로 따르고 있다는 것을 확인할 수 있었다.
또 1.7KHz 및 200KHz에서도 뚜렷한 변조신호를 얻을 수 있었다.