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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      High‐Performance n‐type Organic Semiconductors: Incorporating Specific Electron‐Withdrawing Motifs to Achieve Tight Molecular Stacking and Optimized Energy Levels

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      https://www.riss.kr/link?id=A107548585

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

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      <P><B>Novel π–conjugated cyanostilbene‐based semiconductors</B> (Hex‐3,5‐TFPTA and Hex‐4‐TFPTA) with tight molecular stacking and optimized energy levels are synthesized. Hex‐4‐TFPTA exhibits high‐performance n‐type organic field‐effect transistor (OFET) properties with electron mobilities as high as 2.14 cm<SUP>2</SUP> V<SUP>−1</SUP>s<SUP>−1</SUP> and on‐off current ratios >10<SUP>6</SUP>.</P>
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      <P><B>Novel π–conjugated cyanostilbene‐based semiconductors</B> (Hex‐3,5‐TFPTA and Hex‐4‐TFPTA) with tight molecular stacking and optimized energy levels are synthesized. Hex‐4‐TFPTA...

      <P><B>Novel π–conjugated cyanostilbene‐based semiconductors</B> (Hex‐3,5‐TFPTA and Hex‐4‐TFPTA) with tight molecular stacking and optimized energy levels are synthesized. Hex‐4‐TFPTA exhibits high‐performance n‐type organic field‐effect transistor (OFET) properties with electron mobilities as high as 2.14 cm<SUP>2</SUP> V<SUP>−1</SUP>s<SUP>−1</SUP> and on‐off current ratios >10<SUP>6</SUP>.</P>

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