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E-MRS 2002 Spring Meeting Symposium A: Atomic Scale Materials Design
Djfari-Rouhani, M.; Finnis, M.; Greer, J.; Hafner, J.; Korkin, A. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.xi-xii
Monte Carlo modeling of amorphization resulting from ion implantation in Si
Pelaz, L.; Marques, L. A.; Aboy, M.; Gilmer, G.; Bailon, L. A.; Barbolla, J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.1-5
The role of the bond defect on silicon amorphization: a molecular dynamics study
Marques, L. A.; Pelaz, L.; Aboy, M.; Vicente, J.; Barbolla, J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.6-9
Atomic scale computer aided design for novel semiconductor devices
La Magna, A.; Alippi, P.; Colombo, L.; Strobel, M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.10-15
Atomistic study of ion-beam deposition conditions for hard amorphous carbon
Belov, A. Y.; Jager, H. U. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.16-22
Substitutional n-type doping of diamond
Larsson, K. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.23-29
Atomic scale simulation of structural relaxation processes in tetrahedral amorphous carbon
Belov, A. Y. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.30-35
First principles studies of neutral vacancies diffusion in SiC
Rurali, R.; Hernandez, E.; Godignon, P.; Rebollo, J.; Ordejon, P. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.36-42
A modified empirical potential for energetic calculations of planar defects in GaN
Kioseoglou, J.; Polatoglou, H. M.; Lymperakis, L.; Nouet, G.; Komninou, P. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.43-49
Hayashi, K.; Kanayama, T.; Kojima, H.; Shimizu, T. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.50-57
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