무선충전기, USB 타입-C 등의 응용에 사용되는 MCU 칩은 제조 원가를 줄이기 위해 3~5개의 추가 공정 마스크가 필요한 DP-EEPROM(Double Poly EEPROM)보다는 추가 마스크가 한 장 이내이면서 메모리 셀 ...
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2020
Korean
MTP ; IP ; Hot Carrier Injection ; BTBT ; BCD Process
KCI등재
학술저널
161-169(9쪽)
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다운로드국문 초록 (Abstract)
무선충전기, USB 타입-C 등의 응용에 사용되는 MCU 칩은 제조 원가를 줄이기 위해 3~5개의 추가 공정 마스크가 필요한 DP-EEPROM(Double Poly EEPROM)보다는 추가 마스크가 한 장 이내이면서 메모리 셀 ...
무선충전기, USB 타입-C 등의 응용에 사용되는 MCU 칩은 제조 원가를 줄이기 위해 3~5개의 추가 공정 마스크가 필요한 DP-EEPROM(Double Poly EEPROM)보다는 추가 마스크가 한 장 이내이면서 메모리 셀 사이즈가 작은 MTP(Multi-Time Programmable) 메모리가 요구된다. 그리고 E/P(Erase/Program) cycling에 따른 MTP 메모리 셀의 endurance 특성과 데이터 retention 특성을 좋게 하기 위해서 VTP(Program Threshold Voltage)와 VTE(Erase Threshold Voltage)의 산포는 좁은 것이 필요하다. 그래서 본 논문에서는 short pulse의 erase와 program pulse를 여러 번 수행하면서 목표 전류와 비교한 뒤 전류스펙을 만족하면 더 이상 program이나 erase 동작을 수행하지 않게 하므로 program VT 산포나 erase VT 산포를 줄이는 알고리즘과 current-type BL S/A(Bit-Line Sense Amplifier) 회로, WM(Write Mask) 회로, BLD(BL Driver) 회로를 제안하였다. 매그나칩반도체 0.13㎛ 공정으로 제작된 256Kb MTP 메모리 웨이퍼에서 동작 모드에 맞게 정상적으로 동작하는 것을 확인할 수 있다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
In order to reduce the manufacturing cost of MCU chips used in applications such as wireless chargers and USB-C, compared to DP-EEPROM (Double Poly EEPROM), which requires 3 to 5 additional process masks, it is even more necessary MTP(Multi-Time Progr...
In order to reduce the manufacturing cost of MCU chips used in applications such as wireless chargers and USB-C, compared to DP-EEPROM (Double Poly EEPROM), which requires 3 to 5 additional process masks, it is even more necessary MTP(Multi-Time Programmable), which is less than one additional mask and have smaller unit cell size. In addition, in order to improve endurance characteristics and data retention characteristics of the MTP memory cell due to E/P(Erase / Program) cycling, the distribution of the VTP(Program Threshold Voltage) and the VTE(Erase Threshold Voltage) needs to be narrow. In this paper, we proposed a current-type BL S/A(Bit-Line Sense Amplifier) circuit, WM(Write Mask) circuit, BLD(BL Driver) circuit and a algorithm, which can reduce the distribution of program and VT and erase VT, through compare the target current by performing the erase and program pulse of the short pulse several times, and if the current specification is satisfied, the program or erase operation is no longer performed. It was confirmed that the 256Kb MTP memory fabricated in the Magnachip semiconductor 0.13㎛ process operates well on the wafer in accordance with the operation mode.
목차 (Table of Contents)
참고문헌 (Reference)
1 조규삼, "터치스크린 컨트롤러용 저면적, 저전력, 고속 128Kb EEPROM IP 설계" 한국정보통신학회 13 (13): 2633-2640, 2009
2 박헌, "대용량 EEPROM 메모리 셀 검증용 모듈 회로 설계" 한국정보전자통신기술학회 10 (10): 176-183, 2017
3 김영희, "Vertical PIP 커패시터를 이용한 MTP 메모리 IP 설계" 한국정보전자통신기술학회 13 (13): 48-57, 2020
4 B. Wang, "Opportunities and Challenges in Multi-times-programmable Floating-Gate Logic Non-Volatile Memories"
5 Y. H. Kim, "Non-Volatile Memory Design" GSINTERVISION 2016
6 김용호, "MCU용 Fast 256Kb EEPROM 설계" 한국정보통신학회 19 (19): 567-574, 2015
7 F. Xu, "Key Design Techniques of A 40ns 16K Bits Embedded EEPROM Memory" 2 : 1516-1520, 2004
8 R. Strenz, "Embedded Flash Technologies and their Applications: Status & Outlook" 9.4.1-9.4.4, 2011
9 김윤규, "Design of Multi-time Programmable Memory for PMICs" 한국전자통신연구원 37 (37): 1188-1198, 2015
10 H. Park, "Design of 512bit MTP IP for PMICs" 2017
1 조규삼, "터치스크린 컨트롤러용 저면적, 저전력, 고속 128Kb EEPROM IP 설계" 한국정보통신학회 13 (13): 2633-2640, 2009
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3 김영희, "Vertical PIP 커패시터를 이용한 MTP 메모리 IP 설계" 한국정보전자통신기술학회 13 (13): 48-57, 2020
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6 김용호, "MCU용 Fast 256Kb EEPROM 설계" 한국정보통신학회 19 (19): 567-574, 2015
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11 Y. H. Kim, "Design of 40ns 512Kb EEPROM IP" 245-246, 2018
12 Y. Xu, "Design Techniques for a 30-ns Access Time 1.5-V 200-KB Embedded EEPROM Memory" 63 (63): 1064-1068, 2016
13 Y. H. Kim, "A Study on Memory Circuit Architecture" ETRI 2017
14 A. Conte, "A High-Performance Very Low-Voltage Current Sense Amplifier for Nonvolatile Memory" 40 (40): 507-514, 2005
LS-ZVS-LSTC를 이용한 D급 SEPP형 고주파 공진 인버터에 관한 연구
A Study on the Walking Recognition Method of Assistance Robot Legs Using EEG and EMG Signals
저가형 적외선 거리 센서를 이용한 선도-추종 로봇 시스템에서 선도로봇의 위치인식
학술지 이력
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2024 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2021-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | |
2020-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (재인증) | |
2017-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (계속평가) | |
2016-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (계속평가) | |
2015-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (기타) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2006-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | |
2005-10-17 | 학술지명변경 | 외국어명 : 미등록 -> Journal of IKEEE | |
2005-05-30 | 학술지등록 | 한글명 : 전기전자학회논문지외국어명 : 미등록 | |
2005-03-25 | 학회명변경 | 한글명 : (사) 한국전기전자학회 -> 한국전기전자학회영문명 : 미등록 -> Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers | |
2005-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | |
2004-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 FAIL (등재후보1차) | |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) |
학술지 인용정보
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.3 | 0.3 | 0.29 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.24 | 0.22 | 0.262 | 0.17 |