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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      전력용 반도체 스위칭소자 손실계산 방법의 비교 = Comparison of Losses Calculation Method for Power Semiconductor Switching Device

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      https://www.riss.kr/link?id=A82496839

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      국문 초록 (Abstract)

      본 논문에서는 기존에 선행되었던 연구를 바탕으로 반도체물성을 이용한 방법, 실험을 통한 방법, 수치해석적인 방법, 그리고 전류제어를 기반한 ON-TIME 해석에 대하여 비교하였다. 특히 전...

      본 논문에서는 기존에 선행되었던 연구를 바탕으로 반도체물성을 이용한 방법, 실험을 통한 방법, 수치해석적인 방법, 그리고 전류제어를 기반한 ON-TIME 해석에 대하여 비교하였다. 특히 전력전자분야에서 폭넓게 사용되고 있는 IGBT의 손실계산에 초점을 맞추어 반도체 물성을 기반으로 한 방법 및 선형종속에 대한 근사화를 통한 방법을 적용하여 자세한 비교를 하였다.

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