ZnMnSe/GaAs(100) 박막의 성장과 기판온도에 따른 상변화 특성 = The Crystal Growth and Properties of Phase Change of ZnMnSe/GAs(100) Epilayers on Substrate Temperature

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

ZnMnSe epilayers are grown on GaAs(100) substrates using a hot-wall epitaxy
technique. The epilayers were grown by controlling the source temperature to 700
$^\circ$C and the substrate temperature from 260 $^\circ$C to 380 $^\circ$C. We
investigated the crystal growth and structure of the ZnMnSe epilayers by using
X-ray diffractometer. They have two structures, which are the NaCl and the
zinc-blende. It was found from the analysis of EDX spectrum that the atomic
ratios of the epilayers have a substrate temperature dependance. The AFM image
was taken to know the surface roughness. Also, we have found the phase
changing process of epilayers due to substrate temperature increasing.

국문 초록 (Abstract)

Hot-wall epitaxy 법으로 기판의 온도를 260 $\sim$ 380 $^\circ$C까지 40 $^\circ$C
간격으로 변화시키면서 ZnMnSe/GaAs(100) 박막을 성장시켰다. 성장된 박막의
결정구조는 XRD를 측정한 결과 두 가지의 구조 즉, NaCl 구조와 섬아연광 구조로
성장되었다. 박막의 성분비 변화를 알아보기 위하여 EDX를 이용하여 조사한 결과
기판온도가 증가하면 Mn 조성비가 증가하는 것을 알 수 있었다. 또한 박막의 표면을
관찰하기 위하여 기판온도에 따라 AFM을 측정하였다. 그 결과 기판온도가 증가에
따라 박막의 표면상태가 다양하게 변화되었으며 상변화 과정이 일어남을 알 수
있었다.