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1998년
eng
2166-2746
2166-2754
SCIE
학술저널
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY B MICROELECTRONICS AND NANOMETER STRUCTURE
1401-1403 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
Molecular beam epitaxy
North American conference; 16th
Ann Arbor; MI
1997; Oct
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Thick pure Ge films for photodetectors
Oxidation of Si~1~-~yC~y (0��.02) strained layers grown on Si(001)
Surface composition and morphology of chemical beam epitaxy grown GaN thin films