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2013년
eng
0741-3106
1558-0563
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
1364-1366 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Hole Transport in Strained and Relaxed SiGe Channel Extremely Thin SOI MOSFETs
Ultralow Voltage Operation of Formula Not Shown for Oxygen Sensing