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      선택적 에미터 결정질 실리콘 태양전지 제작을 위한 할로겐 램프 장치 개발 = Equipment Manufacturing of Lamp Heating to Fabricate Selective Emitter Silicon Solar Cell

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      https://www.riss.kr/link?id=A99830599

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Halogen lamp was applied to fabricate the selective emitter crystalline silicon solar cell. In selective emitter structure, the recombination of minority carriers is reduced with heavily doped emitter under metal grid, consequently improving the conversion efficiency. Laser selective emitter process which is recently used the most generally induces the damage on the silicon surface. However the lamp has enough heat to form heavily doped emitter layer by diffusing phosphorus from PSG without surface damage. In this work, we have studied to find the design and the suitable condition for halogen lamp such as power, time, temperature and figured out the possibility to fabricate the selective emitter silicon solar cell by lamp heating. The sheet resistance with 100Ω/□ was lower to 50Ω/□ after halogen lamp treatment. Heat transfer to lightly doped emitter region was blocked by using the shadow mask.
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      Halogen lamp was applied to fabricate the selective emitter crystalline silicon solar cell. In selective emitter structure, the recombination of minority carriers is reduced with heavily doped emitter under metal grid, consequently improving the conve...

      Halogen lamp was applied to fabricate the selective emitter crystalline silicon solar cell. In selective emitter structure, the recombination of minority carriers is reduced with heavily doped emitter under metal grid, consequently improving the conversion efficiency. Laser selective emitter process which is recently used the most generally induces the damage on the silicon surface. However the lamp has enough heat to form heavily doped emitter layer by diffusing phosphorus from PSG without surface damage. In this work, we have studied to find the design and the suitable condition for halogen lamp such as power, time, temperature and figured out the possibility to fabricate the selective emitter silicon solar cell by lamp heating. The sheet resistance with 100Ω/□ was lower to 50Ω/□ after halogen lamp treatment. Heat transfer to lightly doped emitter region was blocked by using the shadow mask.

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      목차 (Table of Contents)

      • Abstract 1. 서론 2. 장치 구성 3. 실험 방법 4. 실험결과 및 고찰 5. 결론 References
      • Abstract 1. 서론 2. 장치 구성 3. 실험 방법 4. 실험결과 및 고찰 5. 결론 References
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      참고문헌 (Reference)

      1 한원석, "차세대 고효율 태양전지 기술 동향" 22 (22): 86-, 2007

      2 Solar & Energy, "차세대 고효율 결정질 Si 태양전지 기술 및 시장전망(2008~2015)" 166-168, 2011

      3 Solar, "차세대 고효율 결정질 Si 태양전지 기술 및 시장전망 (2008∼2015)" 2011

      4 M. A. Green, "Solar Cells(Operating Principles, Technology, and System Applications)" Prentice-Hall 150-, 1982

      5 Zheren Du, "Rear-Side Contact Opening by Laser Ablation for Industrial Screen-Printed Aluminium Local Back Surface Field Silicon Wafer Solar Cells" 19-27, 2012

      6 S. K. Chunduri, "Photon International"

      7 Ching-Hsi Lin, "Fabrication of single diffusion step selective emitter solar cells" 2010

      8 CarlssonC, "21st EU-PVSEC"

      1 한원석, "차세대 고효율 태양전지 기술 동향" 22 (22): 86-, 2007

      2 Solar & Energy, "차세대 고효율 결정질 Si 태양전지 기술 및 시장전망(2008~2015)" 166-168, 2011

      3 Solar, "차세대 고효율 결정질 Si 태양전지 기술 및 시장전망 (2008∼2015)" 2011

      4 M. A. Green, "Solar Cells(Operating Principles, Technology, and System Applications)" Prentice-Hall 150-, 1982

      5 Zheren Du, "Rear-Side Contact Opening by Laser Ablation for Industrial Screen-Printed Aluminium Local Back Surface Field Silicon Wafer Solar Cells" 19-27, 2012

      6 S. K. Chunduri, "Photon International"

      7 Ching-Hsi Lin, "Fabrication of single diffusion step selective emitter solar cells" 2010

      8 CarlssonC, "21st EU-PVSEC"

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      2013-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2010-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2008-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
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      2016 0.28 0.28 0.28
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.27 0.25 0.618 0.26
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