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      NiFe/Ta(t)/NiFe 박막을 이용한 평면홀 바이오센서로서 고감도 특성 연구

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      https://www.riss.kr/link?id=A107115330

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      As a device that measures a fine magnetic field to be used as a biosensor, a simple multilayered cross-shaped current and voltage terminals are formed. The sensitivity of planar Hall voltage sensitivity (SPHV) were obtained from the planar Hall voltage (PHV) curve, which was measured by applying an external magnetic field perpendicular to the magnetization easy axis. The PHV curve for the NiFe(6 nm)/Ta(20 nm)/NiFe(6 nm) multilayer changed linearly in the region of ±0.9 Oe, and the SPHV was 500 µV/Oe. In particular, as the increased sensing current from 1.0 mA to 40 mA, the SPHV was from 2.0 mV/Oe to 398 µV/Oe. These results suggested the possibility of developing a PHR biosensor with high sensitivity even with a multilayer structure formed of a bottom Ta layer and a ferromagnetic NiFe layer.
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      As a device that measures a fine magnetic field to be used as a biosensor, a simple multilayered cross-shaped current and voltage terminals are formed. The sensitivity of planar Hall voltage sensitivity (SPHV) were obtained from the planar Hall voltag...

      As a device that measures a fine magnetic field to be used as a biosensor, a simple multilayered cross-shaped current and voltage terminals are formed. The sensitivity of planar Hall voltage sensitivity (SPHV) were obtained from the planar Hall voltage (PHV) curve, which was measured by applying an external magnetic field perpendicular to the magnetization easy axis. The PHV curve for the NiFe(6 nm)/Ta(20 nm)/NiFe(6 nm) multilayer changed linearly in the region of ±0.9 Oe, and the SPHV was 500 µV/Oe. In particular, as the increased sensing current from 1.0 mA to 40 mA, the SPHV was from 2.0 mV/Oe to 398 µV/Oe. These results suggested the possibility of developing a PHR biosensor with high sensitivity even with a multilayer structure formed of a bottom Ta layer and a ferromagnetic NiFe layer.

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      참고문헌 (Reference)

      1 D. H. Nam, 13 : 4714-, 2013

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      15 최종구, "원 모양 IrMn 기반 GMR-SV 다층박막에 대한 평면 홀 전압 특성 연구" 한국자기학회 30 (30): 24-30, 2020

      16 김진수, "Na/K 과잉 (Na0:53K0:47)(Nb0:55Ta0:45)O3 압전세라믹스의 유전완화 및 교류전기전도 특성" 한국물리학회 70 (70): 1-6, 2020

      17 S. X. Wang, "Magnetic Information Storage Technology" Academy Press 123-176, 1999

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