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2007년
eng
1938-5862
1938-6737
학술저널
ECS TRANSACTIONS
471-478 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
9781566775700
Physics and technology of high-k gate dielectrics
International symposium; 5th
Washington, DC
2007; Oct
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Tight Distribution of Dielectric Characteristics of HfSiON in Metal Gate Devices
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The Approach for Direct Stacking of High-k Dielectrics on Si